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压力变送器发展见证了科技的进步
点击次数:772 发布时间:2015-09-08
 随着科技的不断进步,压力变送器越来越广泛的被我们应用于生活工作中,LD3351压力变送器是我公司的一款主打产品,广泛应用于冶金、石油化工、电力、轻工、纺织、食品、国防以及科研等工业部门,可以安装于热电阻的接线盒内与之形成一体化结构,是全新一代的测温仪表。
  压力变送器的发展之路主要可以分成四个阶段,从1947年双极性晶体管的发明到现在,压力变送器经历了几十年的发展,已经越来越成为各类变送器中技术zui成熟、性能zui稳定、性价比zui高的一类变送器,现代压力变送器以半导体变送器的发明为标志,下面就让小编带着你回顾一下半导体变送器的四个发展阶段吧。
  *阶段(1945 - 1960 年):压力变送器发展的*阶段即为发明阶段,主要是以1947双极性晶体管的发明为标志的,在那以后,半导体材料得到了较为广泛地应用,1945年史密斯(C.S. Smith)发下了硅与锗的压阻效应(当有外力作用于半导体材料时,其电阻将明显发生变化),依据这个原理制成的压力变送器是把应变电阻片粘在金属薄膜上,即将力信号转化为电信号进行测量。此阶段zui小尺寸大约为1cm。
  第二阶段(1960 - 1970 年):压力变送器发展的第二阶段属于技术发展阶段,这一时期随着硅扩散技术的发展,技术人员在硅的(001) 或(110) 晶面选择合适的晶向直接把应变电阻扩散在晶面上,然后在背面加工成凹形,形成较薄的硅弹性膜片,称为硅杯,这是的变送器已经实现了金属- 硅共晶体,具有体积小、重量轻、灵敏度高、稳定性好、成本低、便于集成化等优点,也为商业化发展提供了可能。
  第三阶段(1970 - 1980 年):压力变送器发展的第三阶段属于商业化集成加工阶段,这个时期在硅杯扩散理论的基础上应用了硅的各向异性的腐蚀技术,扩散硅变送器其加工工艺以硅的各项异性腐蚀技术为主,发展成为可以自动控制硅膜厚度的硅各向异性加工技术,主要有V形槽法、浓硼自动中止法、阳极氧化法自动中止法和微机控制自动中止法。
  第四阶段(1980 年- 今) :从上世纪80年代开始到现在,纳米技术的发展使得微机械加工工艺成为可能,通过微机械加工工艺可以由计算机控制加工出结构型的压力变送器,其线度可以控制在微米级范围内。利用这一技术可以加工、蚀刻微米级的沟、条、膜,使得压力变送器进入了微米阶段。
  随着时代的变化,将会有越来越多类型的变送器出现在我们的工作生产之中,这些变送器各有各的特点,为我们的选择提供了更广阔的空间,我们在选购的过程中一定要找到zui适合自己的变送器,才能发挥出仪器zui大的性能。